Rasterelektronenmikroskopie (REM, EDX)
Stärken der Technik
- Abbildung von Oberflächen und unregelmäßigen Objekten mit sehr hoher Auflösung und Schärfentiefe
- Untersuchung von Querschnitten zur Aufklärung von Schichtstrukturen
- quantitative Elementanalytik mittels EDX:
- Defekt-, Punkt- oder Partikelanalysen im Bereich ~1 µm
- Erstellung von Elementverteilungsbildern
Technische Daten
| REM | Laterale Auflösung: |
bis zu 3 nm 0,1 - 30 kV Sekundär-, Rückstreuelektronen- und In-Lense-Detektor |
| EDX | Nachweisbare Elemente: Nachweisgrenze: Quantifizierung: Informationstiefe: Laterale Auflösung: |
Bor - Uran ca. 0,1 - 1% ja ca. 1 µm bis zu 0,3 µm |
Weitergehende Informationen
Anwendungsbeispiele |